رئیس پژوهشکده نیمه هادی ها در پژوهشگاه مواد و انرژی از دریافت پاسخ های مثبت در ارتباط با ساخت لایه های نازک نیمه هادی های گروه II-VI و IV-VI از طریق روش های شیمیایی، جهت کاربرد در سنسورها و آشکارسازها در این پژوهشکده خبر داد.
امیر علی یوزباشی روز شنبه در گفت و گو با خبرنگار ایرنا، افزود: ساخت مواد نیمه هادی با خواص گوناگون اپتیکی، الکتریکی و اپتوالکتریکی از طریق روش های ساده و ارزان شیمیایی به خصوص از زمان ظهور نانوفناوری و شناخت خواص و پدیده های جالب توجه آنها، هدف بسیاری از محققین در سطح دنیا قرار گرفته است و چاپ سالانه تعداد بی شماری مقاله در این زمینه، گویای اهمیت آن می باشد.
وی اظهار داشت: فعالیت های تحقیقاتی ما در این زمینه از حدود 2 سال پیش در مورد مشخصه یابی لایه های نازک PbS بعنوان آشکارساز IR شروع شد و همچنان، بخصوص در زمینه ساخت و بررسی آنها ادامه دارد.
رئیس پژوهشکده نیمه هادیها افزود: نتایج اخیر این پژوهش حاکی از آن است که کنترل بهینه فرآیند لایه نشانی شیمیایی PbS یا هر ترکیب نیمه هادی دیگری در گروه II-VI ، امکان ساخت لایه های نازک قابل مهندسی دارای ساختار و خواص کنترل شده را فراهم می کند.
وی ادامه داد: در واقع چالش اصلی امروز محقیق در این زمینه نیز مهندسی ساخت این لایهها از طریق روش های شیمیایی ساده و ارزان میباشد.
دکتر یوزباشی افزود: موضوع جالب دیگر در این زمینه این است که چنانچه بتوان لایه های نانوساختار گوناگون این مواد را تحت شرایط کنترل شده و تکرارپذیر تهیه نمود، کاربردهای مدرن چنین موادی در سلول های خورشیدی نسل جدید و حتی قطعات الکترونیکی مدرن و ارزان نیز عرضه خواهد شد.
پژوهشگاه مواد و انرژی در مشکین دشت شهرستان فردیس مستقر است.
